韓国のサムスン電子は21日、第3世代10ナノメートル級プロセス(1zナノメートル)を使用した8ギガビットDDR4 DRAMを開発したと発表した。
1z世代は、10ナノメートル代前半の業界最小メモリープロセス技術。第2世代(1vナノメートル=10ナノメートル半ば)に比べ性能が向上するとともに、生産性も20%改善。サムスンは今回、EUV(極端紫外線)露光技術を使用せずに微細化を実現。第2世代8ギガビットDDRR4の両さんからわずか1年4ヵ月で1zナノメートル品の開発に成功した。
同社は20年に登場予定の高性能サーバーやPC向けとして、今年下期に1zナノメートル8ギガビットDDR4を量産開始。これによりプレミアムDRAM市場における競争力を強化、業界リーダーとしての地位を強固なものにする。